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高压氮化镓HEMT材料

产品标签: 电力电子

所属企业: 苏州晶湛半导体有限公司

人才姓名: 程凯

发布时间: 2009/10/4

点击次数: 2702次

产品信息

                苏州晶湛半导体开发的200毫米硅上氮化镓外延片在不排除边缘的情况下,晶圆外延层厚度的均匀性好于0.5%。苏州晶湛在200毫米硅衬底上生长的无龟裂(Al)氮化镓外延层厚度达4至7mm,外延片的翘曲小于20 mm,翘曲的偏差小于5 mm,说明生长工艺具有很好的重复性。对具有总厚度4mm的200毫米硅上氮化镓外延片,苏州晶湛测试了外延片上10个不同位置的HEMT器件的击穿特性。在衬底悬空的状态下,氮化镓器件的击穿电压超过了1600 V,而器件的漏电电流小于10 uA/mm。从测试结果可以看到各点的漏电流数据都相互重合,表明该产品具有很好的一致性和均匀性。